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MHz有源晶振

SIT1576(低功耗高精度±5PPM,1508 CSP封装1Hz–2.5MHz超小型TCXO)

SIT1576(低功耗高精度±5PPM,1508 CSP封装1Hz–2.5MHz超小型TCXO)

型号:

产品描述:伴随着物联网的快速发展,小体积、長效电池寿命、以及高精度时序等要求, 日益占据了重要的地位。SiT1576 低功耗温补晶振提供了支持新物联网应用所需的尺寸、功耗和精度。SIT1576采用微型芯片级封装(CSP),支持1 Hz和2.5 MHz任意频率,SiT1576在多个温度点经过工厂校准,可确…

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伴随着物联网的快速发展,小体积、長效电池寿命、以及高精度时序等要求, 日益占据了重要的地位。SiT1576 低功耗温补晶振提供了支持新物联网应用所需的

尺寸、功耗和精度。SIT1576采用微型芯片级封装(CSP),支持1 Hz和2.5 MHz任意频率,SiT1576在多个温度点经过工厂校准,可确保±5 ppm高频率稳定性。

由於采用SiTime 的TempFlat™ MEMS 和混合信号技术,SIT1576提高了计时准确性,并降低了系统功耗,典型的内核电源电流在100 kHz时仅为6.0μA,有助于纽扣电池供电的物联网传感器持续工作达 10 年时间。
SiT1576 基准时钟设计用于驱动微控制器(MCUs)和模拟前端(AFE)模块,支持多种便携式物联网应用,如恶劣工作条件下的铁路活动传感器、地震传感接口应用和个人医疗诊断设备等。

由于取代了可选频率有限或内部生成(MCU)高功耗频率,而且外形硕大的石英振荡器,MEMS 时序解决方案提供了設計人員前所未有的电池寿命,并大幅减小尺寸,解决了精度不足和 I/O 引脚占用问题。


产品参数


频率 1Hz-2.5MHz
频率稳定度(ppm) ±5,±20
工作温度 (°C) -20 to +70, -40 to +85,
晶振类型 TCXO
输出模式 LVCMOS
封装尺寸(mm) 1.5x0.8
特点 Smallest size
工作电压(V) 1.62 to 3.63

脚位定义




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